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型号 IPP180N10N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 400V 43A TO220-3
IPP180N10N3 G PDF
代理商 IPP180N10N3 G
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 43A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 33A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 33µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1800pF @ 50V
功率 - 最大 71W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 PG-TO220-3
包装 管件
其它名称 IPP180N10N3GXKSA1
SP000683090
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